航空发动机曾经被普遍誉为 " 工业皇冠上的明珠 "，但无论军用还是民用，我国航发都已经或正在取得重大突破，让这颗明珠 " 黯然失色 "。
在半导体行业，光刻机被很多人称为 " 半导体工业皇冠上的明珠 "，但骨头再硬，也不是不能啃下来。
近日有消息称，上海微电子在 28nm 浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在 2023 年年底向市场交付国产的第一台 SSA/800-10W 光刻机设备。
光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。
事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。
前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为 DUV、EUV 两大类，目前由荷兰阿斯麦 ( ASML ) 占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。
后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。
面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到 55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。
上海微电子装备 ( 集团 ) 股份有限公司 ( 简称 SMEE ) 成立于 2002 年，定位为 " 富有国家使命的公司 "，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD 面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。
在最先进制程的 EUV 光刻机方面，我国相比于外国起步晚了 50 年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。
但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的 SSA/800-10W 光刻机就属于这一系列的最新产品。
另外，上海微电子还有 2.5D/3D 封装光刻机，精度在 0.6 微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。
其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。
上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。
当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。
有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到 34％、40％、90％，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到 10-30％，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于 5％
值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为 " 反射镜、光刻装置及其控制方法 " 的专利，涉及到 EUV 光刻关键技术。
根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。
