最近几年，由于我国在芯片领域的快速发展，让老美逐渐感到其本国企业的优势空间在变窄，所以便开始了对我国芯片企业的疯狂打压，其中在芯片制造领域的打压尤其明显。
例如在2019年，美国要求ASML禁止向中芯国际出售EUV光刻机，随后又要求ASML将禁售光刻机的范围增加到DUV光刻机，同时要求日本尼康跟进，而在其他芯片制造设备上，也施加了很多限制。
可以说，老美为了阻碍我们在芯片制造上的发展，进行了全方位的围堵，当然，最关键的设备其实还是光刻机，因为光刻机不仅决定着一颗芯片的工艺，还是所有芯片制造设备中难度最高、复杂度最高的设备，没有之一。
不过ASML方面后来恢复了部分DUV光刻机的供应，其表示受到影响的光刻机型号，应该是1980Di之后的机型，即2000i和2050i两款机型，这两款机型可以用于制造7纳米和5纳米工艺芯片。
而1980Di机型主要被用于14纳米及以上工艺，ASML做出该判断的依据，主要是美国企业断供的其他芯片设备，都是基于14纳米以下，因此光刻机也应该是基于此工艺标准。
不得不说，中芯国际都要被气笑了，因为这无疑让所有人都看到，老美是自己撕下了遮羞布，什么国家安全都是胡扯，老美一方面想要遏制我们在芯片制造上的发展，又想赚我们市场的钱。
14纳米的芯片设备，有很多我们都实现了国产化，所以对于老美来说，限制14纳米反而对其本国企业不利，进而再限制14纳米的光刻机也就意义不大，华为近日搞定了芯片设计EDA工具，也是锚定在了14纳米，这已经很能说明问题。
实际上，在光刻机上，我们也没有把DUV光刻机当作最大障碍，主要突破点还是EUV光刻机。
2020年，中科院院长白春礼就表示，要解决一批卡脖子的关键领域，其中光刻机赫然在列，而当时被卡脖子的光刻机，就是EUV光刻机。
DUV光刻机上，根据之前的媒体报道，28纳米已经突破在即，而28纳米光刻机通过双重曝光就可以生产14纳米芯片，这也是为何，后来ASML迅速改口，不再强调“公开图纸我们也造不出光刻机”，而是高调表示“我们可以制造出任何他们所需要的任何产品”。
现在3年过去，中科院就传来“破冰”消息，中科院长春光机所近日在官网发文表示，中科院院长白春礼来到了长春光机所调研，其中展示的创新成果，就包括EUV光源。
上图为白春礼院长在参观EUV光源样机，EUV光刻机与DUV光刻机的最大区别，就是光源，DUV光源的波长是193纳米，而EUV光源的波长是13.5纳米，波长越短，才能制造越先进的芯片。
因此突破EUV光刻机的关键，其实就是突破EUV光源，而现在，中科院长春光机所已经研制出EUV光源样机，并且向院长白春礼进行了展示，那么这意味着，国产EUV光刻机的原型机已经可以展望一下了。
之前ASML总裁温宁克表示，限制只会加速我们自研，美国终将搬起石头砸自己的脚，而近日美国智库也表示，美国的战略正在让全球去美化，我们将会在供应链中发挥作用。还是那句话，对我们越是限制，我们越是能够突破，为伟大的祖国和科学家们点赞。
