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单片机是根据硬件电路图的设计来写代码的，所以我们不仅仅要学习编程知识，还有硬件知识，也要进一步的学习，这节课我们就要来穿插介绍电路硬件知识。
3.1 电磁干扰EMI第一个知识点，去耦电容的应用，那首先要介绍一下去耦电容的应用背景，这个背景就是电磁干扰，也就是传说中的EMI。
冬天的时候，尤其是空气比较干燥的内陆城市，很多朋友都有这样的经历，手触碰到电脑外壳、铁柜子等物品的时候会被电击，实际上这就是“静电放电”现象，也称之为ESD。
不知道有没有同学有这样的经历，早期我们使用电钻这种电机设备，并且同时在听收音机或者看电视的时候，收音机或者电视会出现杂音，这就是“快速瞬间群脉冲”的效果，也称之为EFT。
以前的老电脑，有的性能不是很好，带电热插拔优盘、移动硬盘等外围设备的时候，内部会产生一个百万分之一秒的电源切换，直接导致电脑出现蓝屏或者重启现象，就是热插拔的“浪涌”效果，称之为Surge。
… …
电磁干扰的内容有很多，我们这里不能一一列举，但是有些内容非常重要，后边我们要一点点的了解。这些问题大家不要认为是小问题，比如一个简单的静电放电，我们用手能感觉到的静电，可能已经达到3KV以上，如果用眼睛能看得到的，至少是5KV了，只是因为这个电压虽然很高，电量却很小，因此不会对人体造成伤害。但是我们应用的这些半导体元器件就不一样了，一旦瞬间电压过高，就有可能造成器件的损坏。而且，即使不损坏，在2、3里边介绍的两种现象，也严重干扰到我们正常使用电子设备了。
基于以上的这些问题，就诞生了电磁兼容(EMC)这个名词。这节课我们仅仅讲一下去耦电容的应用，电磁兼容的处理在我们今后设计电路，对PCB画板布局中应用尤为重要，那是后话，暂且不说。
3.2 去耦电容的应用首先我们来看图3-1。
图3-1 去耦电容应用
左边这张图，过了保险丝以后，接了一个470uF的电容C16，右边这种图，经过开关后，接了一个100uF的电容C19，并且并联了一个0.1uF的电容C10。其中C16和C19起到的作用是一样的，C10的作用和他们两个不一样，我们先来介绍这2个大一点的电容。
容值比较大的电容，理论上可以理解成水缸或者水池子，同时，大家可以直接把电流理解成水流，其实大自然万物的原理都是类似的。
作用一，缓冲作用。当上电的瞬间，电流从电源处流下来的时候，不稳定，容易冲击电子器件，加个电容可以起到缓冲作用。就如同我们直接用水龙头的水浇地，容易冲坏花花草草的。我们只需要在水龙头处加个水池，让水经过水池后再缓慢流进草地，就不会冲坏花草，起到有效的保护作用。
作用二，稳定作用。我们一整套电路，后级的电子器件功率大小、电流大小也不一样，器件工作的时候，电流大小不是一直持续不变的。比如后级有个器件还没有工作的时候，电流消耗是100mA，突然它参与工作了，电流猛的增大到150mA了，这个时候如果没有一个水缸的话，电路中的电压(水位)就会直接突然下降，比如我们的5V电压突然降低到3V了。而我们系统中有些电子元器件，必须高于一定的电压才能正常工作，电压太低就直接不工作了，这个时候水缸就必不可少了。电容会在这个时候把存储在里边的电流释放一下，稳定电压，当然，随后前级的电流会及时把水缸充满的。
有了这个电容，可以说我们的电压和电流就会很稳定了，不会产生大的波动。这种电容常用的有以下三种：
这三种电容是我们常用的三种电容，其中第一种个头大，占空间大，单位容量价格最便宜，第二种和第三种个头小，占空间小，性能一般也略好于第一种，但是价格也贵不少。当然，除了价格，还有一些特殊参数，在通信要求高的场合也要考虑很多，这里暂且不说。我们板子上现在用的是第一种，只要在符合条件的情况下，第一种470uF的电容不到一毛钱，同样的耐压和容值，第二种和第三种可能得1块钱左右。
电容的选取，第一个参数是耐压值的考虑。我们用的是5V系统，电容的耐压值要高于5V，一般推荐1.5倍到2倍即可，有些场合稍微高于也可以。我们板子上用的是10V耐压的。第二个参数是电容容值，这个就需要根据经验来选取了，选取的时候，要看这个电容起作用的这块系统的功率消耗情况，如果系统耗电较大，波动可能比较大，那么容值就要选大一些，反之，可以小一些。
刚开始同学们设计电路也模仿别人，别人用多大自己也用多大，慢慢积累。比如咱上边讲电容作用二的时候，电流从100mA突然增大到150mA的时候，其实即使加上这个电容，电压也会轻微波动，比如从5V波动到4.9V，但是只要我们板子上的器件在电压4.9V以上也可以正常工作的话，这点波动是没有问题的，但是如果不加或者加的很小，电压波动比较大，有些器件就会工作不正常了。但是如果加的太大，占空间并且价格也高，所以这个地方电容的选取多参考经验。
第二个电容，容值较小，是0.1uF，也就是100nF，是用来滤除高频信号干扰的。比如ESD，EFT等。有一点大家要清楚，我们初中学过电容可以通交流隔直流，但是电容的参数对不同频率段的干扰的作用是不一样的。这个100nF的电容，是我们的前辈根据干扰的频率段，根据板子的参数，根据电容本身的参数所总结出来的一个值。也就是说，以后大家在设计数字电路的时候，在电源处的去耦高频电容，直接用这个0.1uF就可以了，不需要去计算。
还有一点，就是大家看我们的电路图可以看出来，通常在电路中可能瞬间电流较大的地方，会加一个大电容，比如在1602液晶左上角的那个，靠近了单片机的VCC以及1602液晶背光的VCC，起到稳定电压的作用，在左上角电机和蜂鸣器位置有一个，也是起到稳定电压的作用。还有在所有的IC器件的VCC和GND之间，都会放一个0.1uF的高频去耦电容，特别在布板的时候，这个0.1uF电容要尽可能的靠近IC，尽量很顺利的将这个IC的VCC和GND连到一起，这个大家先了解，细节以后再讨论。
3.3 三极管在数字电路中的应用三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用，在我们开发板上也用了多个三极管。在我们板子上的LED小灯部分，就有这个三极管的应用了，图3-5的LED电路中的 Q16就是一个PNP型的三极管。
图3-5 LED电路
3.3.1 三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，本课程用硅管的参数来进行讲课。三极管共有2种类型，分别是PNP型和NPN型，先来认识一下。
三极管一共有3个极，从图3-6来看，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极e(emitter)，那剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。这块是必须要记住的内容，死记硬背即可，后边慢慢用的多了，每次死记硬背一次，多次以后就会深入脑海了。
3.3.2 三极管的原理三极管的应用有截止、放大、饱和三种状态。放大状态主要是对模拟信号而言，而且用法的计算内容比较复杂，暂时我们用不到。而我们数字电路主要使用三极管的开关特性，因此我们只用到了截止与饱和两种状态，所以我们只讲这两种用法。三极管的类型和用法我给大家总结了一句口诀，大家要把这句口诀记牢了：箭头朝内PNP，导通电压顺箭头过，电压导通，电流控制。
下面我们一句一句来解析口诀。大家可以看图3-6，三极管有2种类型，箭头朝内就是PNP，箭头朝外自然就是NPN了，在实际应用中，往往我们要根据实际电路需求来选择到底用哪种类型，大家用几次估计就会了，很简单。
三极管的用法特点，关键点在于b极(基极)和e级(发射极)之间的电压情况，对于PNP而言，e极电压只要高于b级0.7V以上，这个三极管e级和c级之间就可以顺利导通。也就是说，控制端在b和e之间，被控制端是e和c之间。同理，NPN型三极管的导通电压是b极比e极高0.7V，总之是箭头的始端比末端高0.7V就可以导通三极管的e极和c极。这就是关于“导通电压顺箭头过，电压控制”的解释，我们来看图3-7。
我们以图3-7为例介绍一下。三极管基极通过一个10K的电阻接到了单片机的一个IO口上，发射极直接接到5V的电源上，集电极接了一个LED小灯，并且串联了一个1K的限流电阻最终接到了电源负极GND上。
如果LEDS6我们程序给一个高电平1，那么基极b和发射极e都是5V，也就是说e到b不会产生一个0.7V的压降，这个时候，发射极和集电极也就不会导通，那么竖着看这个电路在三极管处是断开的，所以没有电流通过，LED2小灯也就不会亮。如果我们程序给LEDS6的位置一个低电平0，而e极是个5V，产生压差就会导通，三极管e和b之间大概有0.7V的电压，那还有(5-0.7)V的电压会在电阻R47上。这个时候，e和c之间也会导通了，那么LED小灯本身有2V的压降，三极管本身e和c之间大概有0.2V的压降，我们忽略不计。那么在R41上就会有大概3V的压降，可以计算出来，这条之路的电流大概是3mA，可以成功点亮LED。
最后一个概念，电流控制。前边讲过，三极管有截止，放大，饱和三个状态，截止就不用说了，只要e和b之间不导通即可。我们要让这个三极管处于饱和状态，就是我们所谓的开关特性，必须要满足一个条件。三极管都有一个放大倍数β，要想处于饱和状态，b极电流就必须大于e和c之间电流值除以β。这个β，对于常用的三极管大概可以认为是100。那么上边的R47的阻值我们必须要来计算一下了。
刚才我们算过了，e和c之间的电流是3mA，那么b极电流最小就是3mA除以100等于30uA，大概有4.3V电压会在基极电阻上，那么基极电阻最大值就是4.3V/30uA = 143K。只要比这个值小就可以，当然也不能太小，STC89C52RC的IO口输入电流最大理论值是25mA，我推荐不要超过10mA。
3.3.3 三极管的应用三极管在我们数字电路里的开关特性，常用的一个是控制应用，一个是驱动应用。所谓的控制就是如同我们图3-7里边介绍的，我们可以通过单片机控制三极管的基极来间接控制后边的小灯的亮灭，用法大家基本熟悉了。还有一个控制就是进行不同电压之间的转换控制，比如我们的单片机的IO口是5V系统，如果直接接12V系统会烧坏单片机，所以我们加一个三极管，三极管的工作电压高于单片机的IO口电压，用5V的IO口来控制12V的电路，如图3-8所示。
图3-8里所示，当IO口输出高电平5V时，三极管导通，OUT输出低电平0V，当IO口输出低电平时，三极管截止，OUT则由于上拉电阻R2的作用而输出12V的高电平，这样就实现了低电压控制高电压的工作原理。
所谓的驱动，主要是指电流输出能力。我们再来看这两个图之间的对比
图3-9中上边的LED灯，和我们第二课讲过的LED灯是一样的，当IO口是高电平时，小灯熄灭，当IO口是低电平时，小灯点亮。
下边那个图呢，按照这种推理，IO口是高电平的时候，应该有电流流过并且点亮小灯，但是实际并非如此。
单片机主要是个控制器件，具备四两拨千斤的特点。就如同杠杆必须有一个支点一样，想要撑起整个地球必须有力量承受的支点。单片机的IO口可以输出一个高电平，但是他的输出电流很有限，普通IO口输出高电平的时候，大概只有几十到几百uA的电流，达不到1mA，也就点不亮这个LED小灯或者亮度很低，这个时候如果我们想高电平点亮LED，用上三极管就可以这样来处理，我们板上的这种型号，可以通过500mA的电流，有的三极管通过的电流还更大一些，如图3-10所示。
图3-10中，当IO口是高电平，三极管导通，因为三极管的电流放大作用，c极电流就可以达到mA以上了，就可以成功点亮LED小灯。
虽然我们用了IO口的低电平可以直接点亮LED，但是单片机的IO口作为低电平，输入电流就可以很大吗？这个我想大家都能猜出来，当然不可以。单片机的IO口电流承受能力，不同型号不完全一样，就STC89C52来说，官方手册的81页有对电气特性的介绍，整个单片机的工作电流，不要超过50mA，单个IO口总电流不要超过6mA。即使一些增强型51的IO口承受电流大一点，可以到25mA，但是还要受到总电流50mA的限制。那我们来看电路图的8个LED小灯的这个部分电路，如图3-11所示。
图3-11 LED电路图(一)
3-11图示这里我们要学会看电路图的一个知识点，大家注意看，电路图右侧所有的LED下侧的线最终都连到一根黑色的粗线上去了，大家注意，这个地方不是实际的完全连到一起，而是一种总线的画法，画了这种线以后，表示这是个总线结构，所有的名字一样的是一一对应的连接到一起，其他名字不一样的，是不连到一起的。比如左侧的DB0和右侧的最左边的LED2小灯下边的DB0是连在一起的，而和DB1等其他线不是连在一起的。
那么我们把3-11电路图里的我们现在需要讲的这部分再摘出来看。
大家通过3-12的电路图来计算一下，5V的电压减去LED本身的压降，减掉三极管e和c之间的压降，限流电阻用的是330欧，那么每条支路的电流大概是8mA，那么8路LED如果全部同时点亮的话电流总和就是64mA。这样如果直接接到单片机的IO口，那单片机肯定是承受受不住的，即使短时间可以承受，长时间工作就会不稳定，甚至导致单片机烧毁。
有的同学会提出来可以加大限流电阻的方式来降低这个电流。比如改到1K，那么电流不到3mA，8路总的电流就是20mA左右。首先，降低电流会导致LED小灯亮度变弱，小灯的亮度可能关系不大，因为我们同样的电路接了数码管，后边我们要讲数码管还要动态显示，如果数码管亮度不够的话，那视觉效果就会很差，所以降低电流的方法并不可取；其次，对于单片机来说，他主要是起到控制作用，电流输入和输出的能力相对较弱，P0的8个口总电流也有一定限制，所以如果接一两个LED小灯观察，可以勉强直接用单片机的IO口来接，但是接多个小灯，从实际工程的角度去考虑，就不推荐直接接IO口了。那么我们如果要用单片机控制多个LED小灯该怎么办呢？
除了三极管之外，其实还有一些驱动IC，这些驱动IC可以作为单片机的缓冲器，仅仅是电流驱动缓冲，不起到任何逻辑控制的效果，比如我们板子上用的74HC245D这个芯片，这个芯片在逻辑上起不到什么别的作用，就是当做电流缓冲器的，我们通过查看其数据手册，74HC245稳定工作在70mA电流是没有问题的，比单片机的8个IO口大多了，所以我们可以把他接在小灯和IO口之间做缓冲，如图3-13所示
图3-13 74HC245功能图
从图3-13我们来分析，其中VCC和GND就不用多说了，细心的同学会发现这里有个0.1uF的去耦电容噢。
74HC245是个双向缓冲器，1引脚DIR是方向引脚，当这个引脚接高电平的时候，右侧所有的B编号的电压都等于左侧A编号对应的电压。比如A0是高电平，那么B0就是高电平，A1是低电平，B1就是低电平等等。如果DIR引脚接低电平，得到的效果是左侧A编号的电压都会等于右侧B编号对应的电压。因为我们这个地方控制端是左侧接的是P0口，所以我们要求B等于A的状态，所以1脚我们直接接的高电平。图3-13中还有一排电阻R10到R17是上拉电阻，这个电阻的用法我们在后边介绍。
还有最后一个使能引脚19脚OE，这个引脚上边有一横，表明是低电平有效，当接了低电平后，74HC245就会按照刚才上边说的起到双向缓冲器的作用，如果OE接了高电平，那么无论DIR怎么接，A和B的引脚是没有关系的，也就是74HC245功能不能实现出来。
从我们的电路图3-14可以看出来，我们的P0口和74HC245的A端是直接接起来的。这个地方，有个别同学有一个疑问，就是我们明明在电源VCC那地方加了一个三极管驱动了，为何还要再加245驱动芯片呢。这里大家要理解一个道理，电路上从正极经过器件到地，首先必须有电流才能正常工作，电路中任何一个位置断开，都不会有电流，器件也就不会参与工作了。其次，和水流一个道理，从电源正极到负极的电流水管的粗细都要满足要求，任何一个位置的管子过细，都会出现瓶颈效应，电流在整个通路中细管处会受到限制而降低，所以在电路通路的每个位置上，都要保证足够通道足够畅通，这个245的作用就是消除单片机IO这一环节的瓶颈。
在我们设计单片机电路的时候，单片机的IO口数量是有限的，有时并满足不了我们的设计需求，比如我们的STC89C52RC一共是32个IO口，但是我们为了控制更多的器件，就要使用一些外围的数字芯片，这种数字芯片由简单的输入逻辑来控制输出逻辑，比如74HC138这个三八译码器，图3-15是74HC138在我们原理图上的一个应用。
从这个名字来分析，三八译码器，就是把3种输入状态翻译成8种输出状态。从图3-15所看出来的，74HC138一共有1~6一共是6个输入引脚，但是其中4、5、6这三个引脚是使能引脚。使能引脚和我们前边讲74HC245的OE引脚是一样的，这三个引脚如果不符合规定的输入要求，Y0到Y7不管你输入的1、2、3引脚是什么电平状态，总是高电平。所以我们要想这个74HC138正常工作，ENLED那个输入位置必须输入低电平，ADDR3位置必须输入高电平，这两个位置都是使能控制端口。不知道大家是否记得我们第二课的程序有这么两句ENLED = 0；ADDR3 = 1；就是控制使这个74HC138使能的。
这类逻辑芯片，大多都是有使能引脚的，使能符合要求了，那下面就要研究逻辑控制了。对于数字器件的引脚，如果一个引脚输入的时候，有0和1两种状态；对于两个引脚输入的时候，就会有00,01,10,11这四种状态了，那么对于3个输入的时候，就会出现8种状态了，大家可以看下边的这个真值表——图3-16，其中输入是A2，A1，A0的顺序，输出是从Y0，Y1…Y7的顺序。
从图3-16可以看出，任一输入状态下，只有一个输出引脚是低电平，其他的引脚都是高电平。我们清楚的知道，8个LED小灯的总开关三极管Q16基极的控制端是LEDS6，也就是Y6输出一个低电平的时候，可以开通三极管Q16，从右侧的希望输出的结果，我们可以推导出我们的A2，A1，A0的输入状态应该是110，那我们再来看下原理图3-17。
图3-17 点亮LED小灯整体示意图
那么我们在整体捋一遍点亮LED小灯的过程，首先看74HC138，我们要让LEDS6为低电平才能导通三极管Q16，所以ENLED = 0;ADDR3 = 1;保证74HC138使能。然后ADDR2 = 1; ADDR1 = 1; ADDR0 = 0;这样保证了三极管Q16这个开关开通，5V电源加到LED上。
而74HC245左侧是通过P0口控制，我们让P0.0引脚等于0，就是DB_0等于0，而右侧DB0等于DB_0的状态，也是0，那么这样在这一排共8个LED小灯当中，只有最右侧的小灯和5V之间有压差，有压差就会有电流通过，有电流通过我们的LED2就会发光。
74HC245左侧我们可以看出来，是直接接到P0口上的，而74HC138的ADDR0 ~ ADDR3接在何处呢？
图3-18 跳线帽接口部分
跳线帽是大家以后要常用的一个器件，他的作用就是起到导线的作用，我们可以通过跳线帽来实现连接线的切换。
大家看，跳线帽本身可以占2个针的位置，现在是把右侧和中间的针插到了一起，这样实现的就是图3-18中的P1.0和ADDR0连接到一起，P1.1和ADDR1接一起，P1.2和ADDR2接一起，P1.3和ADDR3接一起。这样就可以透彻理解我们第二课的程序了。
好了，大家认真再回顾一下我们第二课的那个程序，再领悟一下这几个数字器件的用法。
3.4 LED闪烁程序点亮LED小灯的程序我们第二课完成了，就是让LED = 0;熄灭小灯的程序也很简单，就是LED = 1;亮和灭中间加个时间延时，点亮和熄灭就都学会了，那么我们中间加个延时程序，反复不停的点亮和熄灭小灯，就成了闪烁了。
我们首先复习一下Keil写程序的过程，建立工程–保存工程–建立文件–添加文件到工程–编写程序–编译–下载程序。
LED闪烁程序对于有C基础的同学来说很简单，那我先写出来，大家可以先看下。没有C语言基础的同学也可以跟着抄一遍，下节课我会补充部分C语言基础知识，这样你先抄一遍后，再跟着看C语言基础知识的时候也比较容易理解透彻。
#include<reg52.h> //包含寄存器的库文件 sbit LED = P0^0; //位地址声明，注意：sbit必须小写！ sbit ADDR0 = P1^0; sbit ADDR1 = P1^1; sbit ADDR2 = P1^2; sbit ADDR3 = P1^3; sbit ENLED = P1^4; void main() { unsigned int i = 0; ENLED = 0; ADDR0 = 0; ADDR1 = 1; ADDR2 = 1; ADDR3 = 1; //74HC138开启三极管 while(1) //程序死循环 { LED = 0; //点亮小灯 for(i=0;i<30000;i++); //延时一段时间 LED = 1; //熄灭小灯 for(i=0;i<30000;i++); //延时一段时间 } }大家把这个程序编译一下，下载到单片机里，会发现LED2这个小灯会闪烁了。关于闪烁灯程序的详解请看: 里面有c语言和汇编2个版本的.
