中国芯苦，美国打压久矣。但其实中国还有个难兄难弟，那就是俄罗斯。
俄罗斯芯片在早前也遭受了美国的无理由无底线打压，不仅所有拥有先进晶圆制造设备被禁止和俄罗斯进行合作，ARM也被禁止向俄罗斯提供服务，甚至俄罗斯最大芯片商MiKron也被美国制裁。
在此之后，俄罗斯痛定思痛，决定自己开始自研芯片制造相关设备，决定试图摆脱对美国的依赖。
俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构也放出豪言，俄罗斯科学院旗下的应用物理研究所计划在2028年开发出一台能够生产7纳米芯片的光刻机，并声称该设备将超越ASML公司的同类产品。
如今，俄罗斯的自研光刻机似乎已经有了进展。俄罗斯号称开发出了可以替代光刻机的芯片制造设备。
据芯智讯报道，据俄罗斯媒体国际新闻通讯社报道，圣彼得堡创建了一个光刻综合体，其中包括一台用于在基板上进行无掩模图像采集和硅等离子化学蚀刻的设备。
蚀刻设备据称是第一台用于无掩模纳米光刻的机器，成本约为500万卢布（约合36.74万人民币），另外一台设备成本未知，而外国此类设备的成本一般都要比这个设备高出数十倍的成本。俄罗斯能够以如此低廉的成本制造出这样的设备不是没有原因的。
要知道，波长越短，那么光刻机的分辨率就越高，现在市面上的EUV光刻机一般都是使用的极紫外光，这种光的波长在13.5nm左右，可以用于制造7nm以下的先进芯片。
然而俄罗斯使用的X射线似乎更胜一筹，因为X射线的波长仅在0.01nm到10nm之间，分辨率比极紫外光的要好得多。
更重要的是，X射线光刻机相较于极紫外光光刻机还有一个优势，据开发人员表示，传统光刻技术通常需要使用专门的掩膜板来获取图像。然而，他们的装置采用了专业软件控制，实现了完全的自动化。这就会给制造设备生产节省一大笔成本。
值得注意的是，俄罗斯并不是第一家将X射线应用于光刻机设备上的国家，欧洲美国甚至我们国内都有过相关研究，只不过直至现在都还没有实现技术量产。
此外，俄罗斯还有其他突破，根据CNews于2022年10月的报道，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS) 正在积极研发一种能够生成7纳米芯片的光刻机。
报道中指出，该研究所位于下诺夫哥罗德，已经成功开发了俄罗斯首台用于制造超小纳米微电子器件的光刻装置。
截至2022年10月，RAS科学家已经制作出了该装置的演示样品。使用这一装置，可以在基板上实现7纳米的高分辨率图像。
综合信息来看，如果俄罗斯能够如期在2028年完成计划，那么ASML确实会受到一定威胁。不过也有些人认为，现在俄罗斯的计划理想状态下需要在2028年才能完成，到那时，说不定ASML已经开发出了1nm的光刻机了。
实际上，这是一件极难完成的事情，上述我们已经提到过，ASML采用的EUV光刻机由于波长问题，现在虽然能够攻克7nm以下，但是1nm几乎是不可能被攻破的，除非ASML寻找到了除极紫外光之外的另外一条道路。
所以说这个计划的成功对于俄罗斯是极其有利的，尤其是在现在俄罗斯的芯片进程远远落于人后的情况下。
我们都知道，现如今，全球范围内已经进入了4纳米工艺，并有望在2023年实现向3纳米工艺的过渡。然而相比之下，截至2023年10月，俄罗斯在微电路的现代技术工艺上仍存在一定程度的局限性，最高可生产的结构为65纳米。
然而，这一技术在近20年前已经过时。即使是现在俄罗斯现在建造的28nm芯片厂，相对于现在来说也非常落后。所以如果7nm芯片制造设备能够如期完成，这对于俄罗斯来说是一个质的飞跃。
