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三星半导体今日宣布，其第九代1Tb TLC V-NAND闪存已开始量产。
三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示：“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品，这将为未来应用的飞速发展提供新的可能性。为了满足持续演进的NAND闪存解决方案需求，三星在新型闪存的单元架构和操作方案上实现了重大突破。”
据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。
此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。
值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。
与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。
目前，三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元(QLC)的第九代V-NAND产品。
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